KUALA LUMPUR 20 Okt - Public Investment Bank (PublicInvest) Research menjangkakan Mi Technovation Berhad akan mempelbagaikan perniagaan rumusan semikonduktornya ke dalam segmen jalur lebar semikonduktor (WBG) menerusi perjanjian pelaburan bernilai AS$30 juta di China.
Ia akan menghasilkan modul kuasa yang membolehkan semikonduktor generasi ketiga beroperasi di bawah keadaan voltan tinggi, suhu tinggi dan frekuensi tinggi.
Pengurusan memberi panduan bahawa modul kuasa tingginya akan merangkumi modul kuasa InsulatedGate Bipolar Transistor (IGBT) dan Silicon Carbide (SiC) dengan gred aeroangkasa dan automotif.
"Barisan pengeluaran pertama dengan perolehan tahunan sekitar 60,000 keping dijangka siap untuk operasi komersial menjelang akhir 2024," katanya dalam satu nota kajian, hari ini.
BACA JUGA: Mi Technovation labur RM142 juta dalam pasaran semikonduktor China
Terdahulu, pelaburan terbabit melibatkan penyelidikan, pembangunan dan kilang pembuatan untuk modul kuasa dan peranti di Xiaoshan, Bandar Hangzhou.
Mengikut syarat perjanjian, MiSE Singapore akan melaburkan jumlah tersebut dalam anak syarikatnya Mi Semiconductor (Hangzhou) Co. Ltd. (MiSE Hangzhou).
Firma penyelidikan itu berkata, peranti semikonduktor WBG biasanya membawa kecekapan kuasa yang ketara kepada pelbagai aplikasi.
Modul kuasa boleh membantu menangani penukaran voltan tinggi kepada voltan rendah untuk pelbagai aplikasi tenaga pembaharuan, iaitu, solar, automotif, telekom, pengecasan EV, aplikasi pengguna dan aplikasi industri.
"Digembar-gemburkan sebagai semikonduktor generasi akan datang, produk SiC menyumbang kira-kira 80% daripada jumlah nilai pasaran.
"Dua segmen aplikasi terbesar dalam pasaran untuk peranti kuasa SiC ialah kenderaan elektrik dan tenaga boleh diperbaharui," katanya.
PublicInvest mengekalkan saranan 'outperform' dengan harga sasaran (TP) RM2.57 sesaham. - DagangNews.com